场效应管（也被称为MOS管或金属氧化物半导体场效应管）的测量主要包括对其性能参数的测试，如直流参数和交流参数等。以下是基本的测量步骤和方法：
1. 直流参数的测量：包括输入电阻、输出电阻和放大倍数等。这些参数可以通过使用万用表或晶体管图示仪进行测量。测量时，应严格按照场效应管的相关规格书进行，以确保准确性。
2. 管脚的判别与测量：可以通过测量场效应管的直流放大倍数来判断其性能是否良好，同时判别出各管脚。一般而言，使用万用表RxK挡进行测量即可判断出三极管的好坏，再确定出它的e、b和c极，进一步测试基极的放大倍数。具体步骤包括初步判断管型，确定基极b和集电极c以及测试直流放大倍数β。这些过程可能需要一些电子测试技能和一些经验，因为不正确的操作可能会导致设备的损坏。对于场效应管的类型选择，应依据电路的要求选择不同类型的场效应管进行测试。此外，不同型号场效应管的测量方法和步骤可能会有所不同。例如，有一种测量方法包括检查其外观是否完好、有无烧焦痕迹等外观检查步骤。对于某些特定型号的场效应管，如IRF系列电源专用管脚布局规则和其测试时的正向漏电流都比较特殊。如果需要更多详细的测量方法或特定型号的测量指南，请提供更多的详细信息。对于需要用到仪器的专业测量工作，请确保操作正确并注意安全。
请注意，以上信息仅供参考，具体的测量方法可能会因不同的设备和型号有所不同。如果对具体的测量方法不确定，建议参考相关的技术手册或咨询专业人士的建议。