TLC（Triple-Level Cell）和MLC（Multi-Level Cell）是两种不同类型的存储单元技术，它们的区别如下：
TLC和MLC都属于闪存的一种，有较为通用的几个层级概念。一般情况下，闪存的层级数量代表了单位颗粒可分辨的电压阶梯数。通俗地说，便是内存里面的储存等级高低变化以及接受、发出的二进制信号的阶梯大小变化情况不一，通俗解释了二者的基本概念。具体到TLC和MLC的区别，主要在于以下几个方面：
1. 存储层级数量不同：TLC的存储层级比MLC更多，其单元里可储存的电压阶梯数量更多。举例来说，MLC的每个单元能表示两个数据位（二进制位），而TLC的每个单元能表示三个数据位。这意味着在相同面积的存储单元中，TLC的存储容量理论上更高一些。然而，由于TLC的电荷存储层级较多，其擦写速度相较于MLC会慢一些。此外，随着存储层级的增加，TLC的可靠性也会受到影响。理论上讲，存储单元越多层越容易出错，需要更复杂的纠错算法和更先进的制造技术来保证数据的可靠性和耐久性。相反的是，三层的闪存比较容易执行而五层就会多出更大的工艺问题以致使电荷层的集成失去未来降低成本的市场核心竞争优势机会。但这样的差距也在不断的进步和创新中逐渐缩小。关于具体数字如TLC与MLC的具体层级数量，在不同的产品和应用场景中有所不同。一般而言都是三者或者两者的区别区别之分但理论上都是有多于两种层级的贮存方式供消费者选择来适配产品提高用户体验舒适度以及运行流畅度。
总的来说，TLC和MLC都是闪存技术的一种类型，它们各有优劣之分，具体区别体现在存储层级数量、存储容量、擦写速度以及可靠性等方面。在选择时可以根据具体需求和预算进行选择。如需更多信息建议咨询相关技术人员获取专业解答。